短沟道PtSe2/超薄硅异质结光电探测器

紫外响应快至51.8 µs

垂直堆叠短沟道结构缩短光生载流子输运距离，紫外响应速度超越多数宽禁带半导体探测器。

Wang, Jiang · Jiang-Xu, Yang · Bo, Yu · Zhicheng, Wu · Mengting, Jiang · 吴春艳 · Yang, Wang · 梁凤霞 · Ma, Xuezhi · Li, Li · 罗林保

Advanced Optical Materials 2024

具体参数

上升响应时间

{'zh': '51.8', 'en': '51.8'} µs

下降响应时间

{'zh': '73.6', 'en': '73.6'} µs

硅层厚度

{'zh': '200', 'en': '200'} nm

技术优势

响应快

垂直结构使光生载流子传输距离极短，且硅的物理特性优越，实现了51.8 μs的上升响应。

易于集成

PtSe2通过晶圆级CVD生长并使用PDMS印章转移，工艺兼容大面积制备，便于集成到现有硅基平台。

应用场景

• 紫外通信：利用快速响应接收紫外信号，提升通信速率。
• 快速光电探测：满足对快速光脉冲的实时检测需求。
• 先进制造过程监控：实时监测紫外相关工艺过程，保障生产质量。
• 智能传感：为智能系统提供高速紫外感知能力。
• 紫外光电子学：作为核心探测元件，推动紫外光电器件发展。