聚合物单层晶体管

18 nm沟长仍高稳

首次实现沟道长度低于20 nm的高性能聚合物单层晶体管，工作稳定且开关比高。

李蒙蒙 · Jiebin, Niu · Tian, Yue · Ding, Chenming · Lu, Congyan · 杨振中 · 黄荣 · 王凌飞 · Yan, He · Li, Ling · 刘明

Advanced Materials 2025

具体参数

沟道长度最短

18 nm

本征栅延迟

0.79 ps

技术优势

开态电流密度2.4 × 10⁻⁴ A µm⁻¹

开关比高达10⁹