无位置传感器高可靠
通过容错与磁通增强效应的协同设计，解决高容错能力与无传感器运行性能难以同时提升的矛盾。
张丽 · Sisi, Deng · Chenhan, Zhang · 朱孝勇 · 石茂林
IEEE Transactions on Industrial Electronics 2025
通过磁通增强效应的增强，即使采用分数槽集中绕组，无传感器运行性能也能得到保证，从而同时实现高容错能力和良好无传感器运行。
通过分析关键参数对三种电机容错能力和无传感器容量性能的影响，得到了设计准则，为后续设计提供指导。
所提出的设计方法通过仿真分析和实验测试得到了合理性及有效性的验证，证明方法可行。