1700V SiC MOSFET

栅极开关稳定性

针对栅开关不稳定性的退化建模,为功率器件的寿命预测提供依据。

陈岑 · 76002196 · Ye X. · Hu, Yifan · Wang, Haodong · 陈浩 · Leon, Jose I.

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

技术优势

首次建立加速模型

基于物理机制给出了加速因子的形式,首次定量描述栅偏压、温度和开关时间对退化的影响。

基于物理机理

加速因子形式基于物理解释,而非纯经验拟合,增强了模型外推的可靠性。

分析多种应力

系统地研究了栅偏压、温度和开关时间三个因素对退化行为的影响,为工况相关性建模奠定基础。

应用场景