InAs/GaAs量子点激光器

抗辐射近零线宽

在高能质子辐照下仍保持近零线宽增强因子和极低噪声，专为空间激光通信的高可靠需求设计。

Manyang, Li · Duan, Jianan · Zhiyong, Jin · Pan, Shujie · Zhan, Wenkang · Jinpeng, Chen · 俞金玲 · Cheng, Xiaotian · Ni, Zhibo · 金潮渊 · Ng, Tien Khee · Kong, Jinxia · 徐小川 · 姚勇 · 徐波 · Chen, Siming · 王占国 · 赵超

Laser and Photonics Reviews 2025

参数信息

线宽增强因子
0
平均相对强度噪声
-162 dBHz^-1
相对强度噪声增量
1 dBHz^-1
抗光反馈能力
-3.1 dB
量子点填充因子
>50%

技术优势

抗辐射不止于理论

通过模拟空间条件的综合辐射测试验证，填充因子超过50%的InAs/GaAs量子点表现出增强的抗辐射性能。

线宽不随辐照漂移

设计良好的量子点激光器即使在7 × 10^13 cm⁻²的质子注量下，线宽增强因子仍保持近零且稳定。

噪声几乎没有恶化

平均相对强度噪声低至-162 dBHz⁻¹，最高注量下仅增加1 dBHz⁻¹，表明出色的稳定性。

不怕光反馈

在高达-3.1 dB的反馈强度下仍维持稳定性能，展现对光反馈的强鲁棒性。

应用场景