富硅区熔石英

损伤源头可循

首次发现激光损伤后熔石英表面形成的富硅区是导致光学元件快速报废的关键因素,为强激光领域光学元件的寿命提升提供了明确靶点。

Sun, Yazhou

Applied Surface Science 2025

技术优势

首次在熔石英损伤区发现局部“富硅”现象

损伤区电子缺陷(ODCII、STE、E'-Center、NBOHC)密度显著增加

富硅区在损伤起始后约纳秒内形成