TbMn6Sn6斯格明子气泡

零场零磁场室温生成

这种斯格明子气泡可在室温零磁场下通过电子束便捷生成，并借助自旋重取向畴界实现直线运动，避免斯格明子霍尔效应偏转，为高密度存储器件提供实用的拓扑磁单元。

Li, Zhuolin · Yin, Qiangwei · Wenxin, Lv · 沈俊 · Wang, Shouguo · Zhao, Tongyun · 蔡建旺 · 雷和畅 · Shi, Lin · 张颖 · 沈保根

Advanced Materials 2024

技术优势

室温零磁场下生成

晶格、链状和孤立形式

直线运动

微磁学模拟验证