迁移率6.11 cm²V⁻¹s⁻¹
利用水与半导体的非浸润性引入压应力,抵消热退火产生的拉应力,从而获得更好的晶体质量、更低的功函数和更高的HOMO能级。
Li Yun · Shi, Yi · 李昀
Journal of Physical Chemistry Letters 2025
水处理后的有机晶体管迁移率达到6.11 cm²V⁻¹s⁻¹,优于未处理的器件。
仅利用水与半导体表面的非浸润性来施加压应力,无需复杂设备或昂贵材料。
压应变减轻了动态无序,增强了分子间耦合,使器件稳定性更高。
XRD和UPS测量表明水处理薄膜具有更好的晶体质量,有助于电荷传输。