表面活化键合Si/SiC界面

近零残余应力

通过表面活化键合实现可调界面结构与低热边界电阻，同时残余应力比亲水键合低一个数量级，有利于高热负载下的稳定散热。

何阳 · Wan, Shun · Zhou, Shi · Zeming, Huang · 常永伟 · Yang, Yu · Gao, Xiaowu · 徐永泽 · Yang, J. · Shang, Gao · 马登科 · 周燕 · 孙华锐

Applied Physics Letters 2025

技术优势

残余应力较亲水键合降低一个数量级

热边界电阻在高温下显著降低

非晶中间层厚度和热边界电阻可通过退火调控