范德华单层CGT异质结

居里温度提升至3倍

接触诱导的电荷注入与晶格匹配协同调控，使层状铁磁体的相变温度提升近两倍。

谭蔚 · Zi-Wen, Zhang · 周小英 · Yu, Zhuoliang · 赵宇清 · 蒋绍龙 · Sin Ang, Yee

Physical Review Materials 2024

参数信息

居里温度

97 K

技术优势

居里温度提高三倍

与TaSe2形成异质结后，界面电荷注入和晶格匹配共同将居里温度从约34 K提升至约97 K。

弱费米能级钉扎的肖特基接触

与TaSe2的范德华接触形成肖特基势垒，且费米能级钉扎较弱，有利于自旋注入和器件设计。

应用场景

• 自旋电子器件：提供高居里温度和弱钉扎接触，可用于构建室温自旋阀和磁隧道结。
• 二维磁性材料：通过异质结工程提升二维磁体的相变温度，拓展其应用温度范围。
• 非易失性存储器：铁磁态稳定且居里温度较高，可用于非易失性磁存储单元。