20kV GaAs光电导开关

耐高压百纳秒输出

该开关在20kV偏压下实现约100ns脉宽输出，并测得1064nm触发光吸收率24.8%，为非线性模式下的高电压脉冲应用提供了关键器件。

Wu, Meilin · 是位

IEEE Access 2023

参数信息

偏置电压

20 kV

脉冲宽度

100 ns

触发光吸收率

24.8 %

技术优势

耐20kV高压

开关在20kV偏压下工作，适用于高压脉冲产生。

脉宽百纳秒

输出脉冲宽度约100ns，满足纳秒级应用需求。

光吸收率量化

测定了1064nm触发光吸收率为24.8%，为光路设计提供依据。

应用场景

• 脉冲功率系统：直接作为高压脉冲产生器件，用于驱动脉冲功率负载。
• 高压脉冲开关：替代传统机械开关，实现纳秒级高压快速切换。
• 超快激光触发：以1064nm激光触发，实现开关的精确时序控制。
• 高电压测试设备：产生标准纳秒高压脉冲，用于校准和测试高压设备。