高压脉冲发生器

下降沿可调

通过多窄脉冲驱动方法实现对串联 MOSFET 的降斜控制,可产生平滑且可控的下降沿输出。

张延超 · Chensui, Ouyang · Qi, Wang · 高建 · 赵阳 · 任秀云 · Liu, Libao · Zhou, Zhiquan

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

参数信息

脉冲宽度
150 ns
脉冲宽度
400 ms

技术优势

下降沿平滑可调

通过多窄脉冲驱动串联 MOSFET,避免了固定驱动下下降沿的突变,使下降时间可在宽范围内连续可调。

应用场景