TaOx忆阻选择器

内存修剪与计算

在同一器件中融合非易失存储与易失阈值开关,首次观测到氧空位导电丝与富Ta纳米晶簇共存,为存算一体边缘视觉系统提供全新硬件基元。

Li, Yi · Lai, Jinru · Songqi, Wang · Lin, Ning · 徐政 · Sun, Wenxuan · Dong, Danian · 许西庆 · Ma, Haili · Zhang, Feng · Qi, Xiaojuan · 王中锐 · 许晓欣 · 尚大山 · Han, Wang · 刘明

Advanced Materials 2025

参数信息

输入能耗降低
90 %
精度损失
1 %
鲁棒性提升(CIFAR-10)
7.6 %
鲁棒性提升(FashionMNIST)
29.8 %
鲁棒性提升(MNIST)
80.7 %

技术优势

能耗直降90%

系统将修剪与计算融合在同一器件中,无需额外数字逻辑和片外存储访问,输入能耗最多减少90%。

精度几乎无损

在 CIFAR-10、FashionMNIST、MNIST 三个数据集上,能耗大幅降低的同时精度损失不超过1%。

鲁棒性大幅提升

面对输入扰动,系统在三个数据集上鲁棒性分别提升7.6%、29.8%和80.7%。

双模式可重构

同一器件可在非易失存储和易失阈值开关之间切换,并通过TEM首次观察到氧空位导电丝与富Ta纳米晶簇共存。

应用场景