CIGS-ZIS-ZnS量子点

高PLQY窄发射

通过钝化界面缺陷并增强DAP辐射复合，解决了铜硫族量子点高PLQY与窄半峰宽难以兼得的长期矛盾。

Zhuojian, Li · Channa, Ali Imran · Yao, Yisen · 李馨 · Xia, Li · Zhihang, Long · Cai, Mengke · You, Yimin · 杨东旭 · Shijie, Deng · 宋海智 · 王志明 · Lin, Kebin · Tong X.

eScience 2026

具体参数

光致发光量子产率

{'zh': '95.3', 'en': '95.3'} %

半峰宽

{'zh': '78', 'en': '78'} nm

最大外量子效率

{'zh': '5', 'en': '5'} %

技术优势

亮度损失低

界面缺陷被钝化后，非辐射复合减少，发光效率显著提升。

颜色纯净

半峰宽收窄至78 nm，多子带发射被抑制，显示色纯度更好。

性能远超对照

QLED外量子效率约5%，是对照器件（1.1%）的4.5倍，验证了结构设计有效。

应用场景

• 量子点发光二极管：作为发光层材料直接提升器件外量子效率。
• OLED显示：用窄发射量子点实现更纯的红光显示。
• 光电材料：异质结构设计为高性能无毒量子点提供范例。