碳包覆1T/2H MoS₂纳米片

万次循环容量反升

一种温和碳包覆工艺保留了高导电1T相，解决了二硫化钼在电化学循环中的结构不稳定性问题。

Yifei, Zhou · Le, Kai · 77288662 · Hui-Jie, Zhang · 徐彦宾 · 徐书生

Journal of Energy Storage 2025

具体参数

面积比电容（电极）

{'zh': '443', 'en': '443'} mF cm⁻²

容量保持率（电极）

{'zh': '109', 'en': '109'} %

面积比电容（对称器件）

{'zh': '108.3', 'en': '108.3'} mF cm⁻²

循环稳定性（对称器件）

{'zh': '85', 'en': '85'} %

弯折稳定性

{'zh': '113', 'en': '113'} %

技术优势

容量不降反升

碳包覆稳定了纳米片结构，循环中发生表面活化或离子可及性增加，10000次后电容保持率达109%。

弯不坏

柔性器件在5000次弯折后电容保持率高达113%，远超100%，表明反复弯折可能促进离子传输而非破坏结构。

高导电相留得住

温和碳包覆避免1T相向2H相转变，保留了高导电性和高电容特性。

应用场景

• 柔性超级电容器：提供高电容和超凡循环、弯折稳定性，是最直接的应用。
• 柔性电子器件：作为柔性电源，承受反复变形而不损失性能。
• 可穿戴储能：弯折稳定性突出，适合集成到运动服或智能手环中。
• 可穿戴电子：机械鲁棒性强，可为电子纺织品等提供可靠电源。