DMSO配位CsSnI₃薄膜

抑制氧化·高荧光产率

通过DMSO与SnI₂形成稳定中间相，抑制Sn²⁺氧化并延缓结晶，从而降低缺陷密度并提高光致发光量子产率，使近红外钙钛矿LED的外量子效率达到5.6%。

Li, Yuqing · Guan, Xiang · Chen, Jingfu · Junpeng, Lin · Xi, Chen · Liu, C. · Zhao, Yaping · Qin, Zhang · 田成波 · Lu, Jianxun · Wei Z.

InfoMat 2024

具体参数

外量子效率

{'zh': '5.6', 'en': '5.6'} %

技术优势

抑制Sn²⁺氧化

DMSO与SnI₂形成稳定的SnI₂·3DMSO中间相，有效保护Sn²⁺不被氧化。

降低缺陷密度

中间相延缓结晶，使薄膜缺陷态密度更低，光致发光量子产率更高。

效率滚降极低

基于该薄膜的LED在工作电流增大时效率下降很小，有利于实际应用。

高重复性

器件的制备重复性好，有助于规模化生产。

应用场景

• 近红外LED：用于制备高效近红外光源，如夜视、生物成像等。
• 钙钛矿发光二极管：提供一种提高锡基钙钛矿LED效率的溶剂工程方法。
• 锡基钙钛矿：解决锡基钙钛矿易氧化和结晶过快的问题，改善薄膜质量。
• 近红外光源：为近红外光源提供高性能、稳定的锡基钙钛矿材料。