MnBi2Te4薄膜

光诱导拓扑相变

圆偏振光驱动轴子绝缘态到量子反常霍尔态，Chern数可达±2，层霍尔电导可调。

周健

Nano Letters 2024

技术优势

Chern数可达±2

反常霍尔电导主要局域在非磁性Bi2Te3层

磁光克尔效应可用于检测拓扑相变