Rashba分裂倍增
在KTaO3极性氧化物界面上,通过阳离子交换机制获得比传统界面更大的Rashba自旋分裂,为低功耗自旋轨道电子学提供新平台。
Xu, Hao · Li, Hang · Gauquelin, Nicolas · Chen, Xuejiao · 吴文 · Zhao, Yuchen · Si, Liang · Tian, Di · 李磊 · Gan, Yulin · Qi, Shaojin · 胡凤霞 · 孙继荣 · Jannis, Daen · 于浦 · 陈刚 · 钟志诚 · 陈云中 · 沈保根
Advanced Materials 2024
在(111)取向的KTO界面,Rashba自旋分裂约为(001)界面的两倍,有利于自旋操控。
2DEG的起源是跨界面阳离子交换,而非STO界面的电子重构,机制不同。
(111)界面兼具大Rashba分裂和超导电性,为寻找拓扑超导提供平台。