Ag₂S/Cu₃P异质结忆阻器

光电热激发提升阻变比

利用Ag导电细丝与Cu₃P相变实现双极阻变，通过光/热激发可进一步提升开关比，为高性能忆阻器设计提供新思路。

Xin, Guo · 吕燕飞 · Manru, Chen · 席俊华 · Li, Fu · 赵士超

Heliyon 2024

具体参数

阻变比在光激发后增大

{'zh': '1.4', 'en': ''} 倍

阻变比在热激发后增大

{'zh': '1.8', 'en': ''} 倍