InBiSe₃/ReS₂异质结探测器

高响应度宽光谱

层间耦合赋予该异质结光电探测器优异的响应度、探测率及偏振敏感特性，适用于高性能光探测。

郭帅 · 赵晓昱 · Weller, Dieter K. · Wang, Xuefeng · 李李 · 刘瑞斌

Small 2024

参数信息

响应度

7.68 A W⁻¹

比探测率

1.26 × 10^11 Jones

外量子效率

1790 %

光谱响应范围

402–1006 nm

偏振灵敏度

1.24

技术优势

响应度提升

在 532 nm 激光下响应度达到 7.68 A W⁻¹，显著高于单个材料。

宽光谱探测

光谱响应范围从 402 nm 到 1006 nm，得益于 InBiSe₃ 的宽光谱吸收。

偏振灵敏度高

偏振灵敏度达到 1.24，源于 ReS₂ 的显著各向异性电子和光学特性。

应用场景

• 偏振成像：以 1.24 的偏振灵敏度实现高对比度偏振成像，替代传统偏振相机。
• 光通信：响应度 7.68 A W⁻¹ 且响应范围宽，可用于高速光通信的光探测。
• 光学传感：高探测率 1.26 × 10¹¹ Jones 使其适用于微弱光信号的传感。
• 光电探测器：兼具宽光谱和高响应度，可直接作为高性能光电探测器使用。