放电重构后活性高
低晶Ni2P在放电重构后形成均匀氧空位，实现可控表面重构并提高析氧反应活性。
Wang, Ling · Zhao, Kun · Qi, Zhihao · Yang, Yonggang · Luo, Wei · Yang, Wenshu · 李龙华 · 郝金辉 · 施伟东
Inorganic Chemistry 2023
低晶Ni2P电极在2.32 V（vs RHE）下电流密度比原始电极提高36.7%，证明重构后活性大幅增强。
利用不同晶体结构调控放电行为，低晶Ni2P放电后形成均匀分布的氧空位，实现活性位点的可控构建。
该方法可推广到高晶或非晶Ni2P等不同晶体结构，为设计可控表面重构提供通用策略。