Mg掺杂AlGaN点缺陷

揭示稳定掺杂构型

该点缺陷模型通过第一性原理计算，阐明Mg掺杂Al0.5Ga0.5N中缺陷的形成与稳定性机制，为优化p型掺杂提供理论依据。

Zhang, Libin · Yihong, Ye · Zhou, Jiacheng · Gao, Piao · Zhiyin, Gan · 熊小双 · 曹龙超

Vacuum 2025

参数信息

热力学跃迁能级（靠近VBM的缺陷数）

7

技术优势

给出最稳定构型

声子谱与结合能分析表明VN-MgGa稳定性最高，而VAl-MgAl不稳定，可直接指导掺杂工艺中抑制不利缺陷。

定位浅能级缺陷

能带结构与态密度显示VN-MgAl和VN-MgGa在带隙中引入浅能级，有助于提高空穴浓度。

应用场景

• p型AlGaN掺杂：提供最优掺杂工艺窗口，提高空穴浓度。
• 深紫外LED：通过稳定p型层，提升深紫外LED注入效率。
• 宽禁带半导体：为宽禁带半导体的p型掺杂提供缺陷工程方法。