偏切调控的GaN薄膜

晶体质量显著提升

通过特定偏切抑制非c取向晶粒，促进c取向缓冲层横向合并。

高源 · 许晟瑞 · Tao, Hongchang · Zhang, Yachao · 张金风 · Su, Huake · 范晓孟 · 张进成 · 郝跃

Results in Physics 2023

参数信息

XRD摇摆曲线半高宽

1357 arcsec

技术优势

晶体质量达记录水平

XRD摇摆曲线半高宽仅为1357角秒，是目前报道的优异结果。

非c取向晶粒被抑制

特定偏切方向使非c取向晶粒大幅减少，c取向缓冲层更容易横向合并。

表面光滑

AFM和SEM表征显示薄膜表面光滑。

应用场景

• 氮化镓功率器件：高质量GaN外延层是高压、高频功率器件的基础。
• Micro-LED显示：光滑表面与高晶体质量满足Micro-LED对薄膜均匀性的严苛要求。
• 光电器件：低缺陷密度提升光电器件的发光效率与可靠性。
• 5G射频器件：高晶体质量减小射频损耗，适用于高频通信器件。
• 紫外探测器：优质GaN薄膜增强紫外探测器的响应度和稳定性。