分段罗氏线圈

非侵入监测电流分布

该分段罗氏线圈通过环绕功率半导体器件的分段测量，可无创地感知器件内部并联芯片的电流分布，克服了压装式IGBT内部电流不平衡无法直接检测的难题。

Yuanfang, Lu · 张翔宇 · Hong, Shen · Zhang, Wuyu · 齐磊

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

参数信息

测量单根载流导线时误差仅

1.21 %

技术优势

能测内部电流分布

将标准罗氏线圈分段并单独测量，可以感知器件内部电流的总体分布，无需侵入器件内部或破坏封装。

支持多方向监测

该方案已用于监测同一IGBT器件不同方向的电流分布，证明其在实际装置上的有效性。

应用场景

• 压装式IGBT状态监测：直接获得器件内部电流分布，用于评估并联芯片的健康状态。
• 功率半导体器件测试：在新器件出厂或型式试验中，非侵入地测量各区域电流是否均衡。
• 电力电子装备在线监测：在不中断运行的情况下，实时监测功率器件内部电流不平衡，防止失效。