自掺杂SrTiO₃单晶

高迁移率巨磁阻

通过氧空位调控实现绝缘-金属转变,其线性磁阻与载流子迁移率成正比,为氧化物电子器件性能优化提供新途径。

Xin, Xue · Xiaowen, Ren · Yaner, Qiu · Zhang, Zhaoting · 王拴虎 · 金克新 · 严红

Scripta Materialia 2026

技术优势

磁阻显著增强

通过高温真空退火引入氧空位,实现绝缘-金属转变,磁阻与载流子迁移率成正比,可通过优化迁移率进一步提升磁阻。

调控简单可控

仅通过高温真空退火即可系统调控电子掺杂和氧空位浓度,无需复杂化学掺杂,工艺简便,适合实验室和工业放大。

应用场景