SiC MOSFET

本成果提出一种针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的串扰峰值预测算法，通过仅对栅极回路建模并引入实测数据，实现对不同关断栅极阻抗下串扰峰值的精确预测，平均正峰值预测误差仅3.2%。

Hengyang, Liu · Kong, Wubing Bin · Tu, Junyao · Hangchuan, Lou · Xianglong, Wu · Dawei, Li · Ronghai, Qu

Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao/Proceedings of the Chinese Society of Electrical Engineering 2023

参数信息

平均正峰值预测误差

3.2 %

技术优势

建模简单

仅对栅极回路建模，无需完整电路参数，即可实现精确预测。

预测误差低

在不同关断栅极阻抗下，平均正峰值预测误差仅3.2%，满足工程精度要求。

通用性强

可应用于多臂电路和不同器件工况，不受特定拓扑限制。

应用场景

• 电力电子系统设计：用于驱动电路设计的量化计算参考，减少串扰引起的误触发风险。
• 功率半导体应用：协助评估SiC MOSFET在桥式电路中的串扰电压，优化器件选型。
• 电池管理与集成：用于高压电池系统中开关器件的串扰预测，提升驱动可靠性。