堆垛层错忆阻器

石墨基纳米忆阻

利用剥落石墨和多层碳纳米洋葱中菱面体与伯纳尔晶格共存的堆垛层错，实现可靠的忆阻开关行为。

Wu, Hansong · 雷力 · 王珊玲 · Hong, Zhang · Boi, Filippo S.

Journal of Materials Chemistry C 2024

技术优势

缺陷自带忆阻

菱面体与伯纳尔晶格共存的堆垛层错是产生忆阻回线的根源，无需额外掺杂或复合。

碳洋葱也可用

多层碳纳米洋葱中观察到类似的忆阻行为，拓宽了材料选择范围。

掺硫能调控

S修饰导致信号减弱，表明可通过化学修饰调控忆阻响应。

应用场景

• 忆阻器：提供基于堆垛层错的新型忆阻活性层，可简化器件结构。
• 纳米电子器件：用于纳米尺度忆阻开关元件，有望应用于低功耗存储和逻辑。
• 石墨烯电子：利用石墨烯堆垛层错实现忆阻功能，扩展石墨烯在电子器件中的应用。