栅漏泄漏修复FinFET

热载流子退化可修复

借助栅极诱发漏极泄漏的电场辅助放电机制,有效恢复热载流子退化,为先进节点器件的可靠性维护提供新思路。

Chang, Hao · Liu, Qianqian · 杨红 · Zhou, Longda · Ji, Zhigang · Tang, Bo · Qingzhu, Zhang · Yin, Huaxiang · 都安彦 · 李峻峰 · 罗军 · 王文武

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

热载流子退化恢复率
80 %
环境温度范围
75-150 °C

技术优势

恢复率可达80%

通过增大栅极诱导漏极泄漏偏压,利用电场辅助放电从氧化层陷阱中释放电荷,显著恢复热载流子退化。

电场驱动而非热激活

恢复效果更依赖于电场辅助放电,使得提高环境温度无法进一步提升恢复率,说明此方法可在较低温度下工作。

可循环修复

通过HCD/GIDL循环实验验证了长期退化恢复的有效性,器件可多次经历损伤-修复循环。

应用场景