碳化硅 MOSFET

栅极开关应力下串扰演化明确

该器件揭示了长期栅极开关应力后串扰电压与直通电流的演化规律，为桥式拓扑中碳化硅MOSFET的可靠性评估与增强提供了依据。

Zicheng, Wang · 陈岑 · Bohang, Lu · Ye X. · Niu, Hao · Alcaide, Abraham M. · Leon, Jose I. · Franquelo, Leopoldo G.

IEEE Transactions on Power Electronics 2026

技术优势

正串扰风险降低

长期栅极开关应力后，正串扰电压幅值减小，同时直通电流幅值也减小，从而降低了因误开通导致的短路风险。

负串扰风险需警惕

长期栅极开关应力后，负串扰电压幅值增大，加剧了栅极反向击穿的风险，说明即使正串扰改善，负串扰的恶化仍可能成为新的失效点。

应用场景

• 桥式功率变换器：提供串扰演化规律，指导桥式变换器的长期可靠性设计和维护策略。
• 栅极驱动可靠性：揭示栅极开关应力下串扰的退化趋势，帮助栅极驱动电路针对负串扰加剧进行保护设计。
• SiC 功率模块：为 SiC 功率模块在桥式应用中的串扰抑制和寿命评估提供数据支持。