堆叠缺陷提升容量
钴掺杂引入c轴堆叠缺陷，优化钠离子配位环境，使充放电过程中晶格参数、电子结构和晶体缺陷的变化更平缓，从而提升循环稳定性。
冷明哲 · 胡昌华 · 周志杰 · Wang, Zhaoqiang · Li, Chuanyang · Zhou, Zhanrong · Xia, Chi · 王莉 · 何向明
Electrochimica Acta 2024
Na₃Ni₁.₆Co₀.₄SbO₆在0.1 C下初始放电容量137.8 mAh g⁻¹，较未掺杂的113.6 mAh g⁻¹提升21%，得益于堆垛层错导致的过渡金属层内无序排列优化了电子结构。
在5 C高倍率下放电容量达87 mAh g⁻¹，高于未掺杂的74 mAh g⁻¹，表明钴掺杂降低了反应能垒，适合快充场景。
钴掺杂使晶格参数、电子结构和晶体缺陷在钠脱嵌过程中变化更小更平缓，从而改善长期循环稳定性。