范德华反铁磁体(Fe1-xCox)3GaTe2

实空间操控拓扑自旋

通过外部刺激实现无剩磁状态下的可重构反铁磁斯格明子，为下一代反铁磁自旋电子学器件开辟新路径。

Zhiyuan, Cheng · Lin, Zhongchong · Kwon, Hee-young · Dai, Zhongwei · 孙亮 · 缪峰 · Ma, Tianping · Yang, Mengmeng · 于葛亮 · Peng, Licong · 郝玉峰 · Yang, Jinbo · 吴义政 · Won, Changyeon · 丁海峰 · Luo, Zhaochu · Chen, Gong

Nature Communications 2026

应用场景

• 自旋电子学器件：用室温零场拓扑磁结构做低功耗存储与逻辑器件。
• 范德华异质结：以二维范德华磁体薄层为平台集成拓扑自旋纹理。
• 拓扑磁结构：提供零场下可稳定存在的斯格明子与嵌套斯格明子。