自生成Vcm的SAR ADC

无需外部基准

通过内部开关电容技术自行产生共模电压,省去外部共模基准电路并降低寄生效应。

Dun, Yan · Zhang, Xin · Yu, Xiao · 余小游 · 彭绍亮 · Li, Songting · Tang, Kai · Jie, Liu

Microelectronics Journal 2025

参数信息

分辨率
12 bit
采样率
4.5 MS/s
DNL
+0.59/−0.57 LSB
INL
+1.02/−1.12 LSB
SNDR
69.63 dB
ENOB
11.27 bit
SFDR
78.17 dB
THD
−76.33 dB

技术优势

高线性度

实测DNL在+0.59/−0.57 LSB以内,INL在+1.02/−1.12 LSB以内,确保精确转换。

匹配优化

高6位采用温度计编码,增强电容匹配,降低失配误差。

应用场景