钒掺杂锰基层状正极

抑制Jahn-Teller畸变

通过对称V⁴⁺掺杂优化电子配位,钒的引入增大了层间距并强化了Mn-O键,从而有效抑制了锰基正极在钾离子存储中的结构畸变。

Zhiwang, Liu · Jinghua, Quan · Xilin, Chen · Niu, Li · 李宏岩

Energy Storage Materials 2025

具体参数

容量保持率
{'zh': '88', 'en': '88'} %
放电比容量
{'zh': '85.8', 'en': '85.8'} mAh g⁻¹

技术优势

500次循环容量保持88%

1 A g⁻¹大电流下循环500次后仍保持88%的比容量,得益于钒掺杂抑制了结构畸变,层状结构稳定。

固溶体反应无相变

原位XRD证实充放电过程中为高度可逆的单相固溶体机制,避免了多相转变带来的应力,提升循环稳定性。

V-O键抑制畸变

DFT计算表明引入更短更强的V-O键使层间距增大,同时优化Mn-O键,有效抑制Jahn-Teller效应。

应用场景