CrI₃/WSe₂异质结

飞秒级自旋注入

激光脉冲在飞秒时间尺度内将自旋注入WSe₂,自旋操控速度远超传统电学方法。

过伊吕 · Zhang, Yehui · Zhou, Zhaobo · He, Junjie · 袁士俊 · Heine, Thomas · 王金兰

ACS Nano 2024

参数信息

WSe₂层磁矩
0.89 μB

技术优势

注入速度超快

激光脉冲在飞秒时间尺度内完成自旋注入,远快于传统电学方法。

无需外部磁场

通过type-II能带排列和自旋劈裂,无需施加磁场即可在非磁WSe₂中产生净自旋。

全半导体工艺兼容

系统完全由半导体材料构成,与现有半导体工艺兼容。

应用场景