4H-SiC电化学液膜剪切抛光

低损伤高效抛光

通过阳极氧化与材料去除的动态平衡,剪切力优先作用于软化氧化层,避免基体直接接触,从根本上消除划痕和亚表面损伤,实现高质量表面。

Yiwei, Liang · Hongbing, Wan · 陈泓谕 · Han, Yunxiao · Lyu, Binghai · 杭偉

Tribology International 2027

参数信息

表面粗糙度 Sₐ
2.11 nm
材料去除率
72.68 nm/min
氧化后硬度
2.74 GPa

技术优势

划痕可避免

剪切力只作用于软化氧化层,不接触基体,从机制上避免划痕。

亚表面损伤极低

TEM证实去除机制可大幅消除位错、层错等亚表面缺陷。

材料去除率高

在6 V、3 μm磨料、6 wt%浓度、120 rpm下MRR达72.68 nm/min,比单一磨料LFSP提高约3倍。

应用场景