高剂量Mg掺杂CuInTe₂

高温稳定，zT达1.72

通过Mg掺杂抑制铜空位，同时提升热电性能与热稳定性，无需在性能与稳定性之间权衡。

Xiong, Qihong · 吴宏 · Zhang, Kaiqi · 王桂文 · Zheng, Sikang · Feng, Yajie · Wu, Shuai · Zhang, Bin · 韩广 · 王国玉 · 周小元 · 卢旭

Acta Materialia 2024

具体参数

峰值zT
{'zh': '1.72', 'en': '1.72'}
峰值zT
{'zh': '1.2', 'en': '1.2'}
平均zT
{'zh': '0.82', 'en': '0.82'}
迁移率提升
{'zh': '20~50', 'en': '20~50'} %

技术优势

高温更稳

Mg掺杂通过强化局部化学键抑制铜空位，阻止铜离子迁移和析出

迁移率大涨

抑制铜空位减少载流子散射，与替代掺杂剂相比迁移率提升20%–50%

峰值zT顶尖

Mg和Ga共掺杂的Cu(In₀.₄Ga₀.₆)₀.₉₄Mg₀.₀₆Te₂在973 K达到zT 1.72，在同类材料中极具竞争力

应用场景