缺陷可控生长
通过平面弯曲策略在弯曲氮化硼中原位生成大量七硼中心氮缺陷,从而形成丰富的B-O活性位点,显著提升丙烷氧化脱氢的烯烃产率。
Xinping, Zhang · Yanan, Huang · Zhou, Wenhua · Luo, Qinlan · 黄杨强 · 罗潇 · 戴佳钰 · Chen, Hao · 傅杰
ACS Catalysis 2024
平面弯曲策略引入大量七硼中心氮缺陷,形成丰富的B-O活性位点,有效提升丙烷氧化脱氢的烯烃产率。
通过选择不同金属纳米颗粒模板(Cu、Fe、Co、Ni)及温度条件,可调控缺陷生成程度,从而优化催化性能。
原位DRIFTS结合DFT计算表明,缺陷工程化的h-BN在丰富的B-O活性位点上实现了高效C-H活化和动力学有利的C=C形成。
平面弯曲效应为h-BN缺陷原位生长提供了途径,促进了其在工业催化中的实际应用。