三维半球电极探测器

超低电容高分辨率

贯穿式SOI基板实现近球形结构，单元间电隔离抑制串扰，适用于高分辨率X射线光子计数成像。

李正 · 赵军 · Li, Xinqing · Liu, Manwen · 王美山

Micromachines 2025

具体参数

电容

{'zh': '2.7', 'en': '2.7'} fF

耗尽电压

{'zh': '1.4', 'en': '1.4'} V

技术优势

电容极小

电容仅 2.7 fF，降低噪声并提高信噪比。

耗尽电压低

仅需 1.4 V 即可完全耗尽，降低功耗和偏置要求。

串扰抑制

沟槽电极将像素单元电隔离，单元间相干效应小，适合阵列集成。

应用场景

• X射线光子计数探测器：低电容提高信噪比，适合光子计数模式。
• 低剂量成像：低噪声增强对比度，降低辐射剂量。
• 高分辨率探测器阵列：电极隔离抑制串扰，支持高密度像素。