表面粗糙度降至2.8 nm
用于钽酸锂晶片加工,相比游离磨料加工,显著降低表面粗糙度并提高材料去除率。
曹琳琳 · Meng, Wei · 周小龙 · 袁巨龙 · 杭偉
Scientific Reports 2025
金刚石FAT加工后LT晶片表面粗糙度Ra由208.6 nm降至2.8 nm,达到纳米级表面质量,满足光电器件对晶片表面的严格要求。
金刚石FAT的材料去除率为16.3 μm/h,高于游离磨料加工的12.4 μm/h,加工效率提升约31%。
通过纳米压痕和划痕技术测得LT延脆转变临界载荷约5.2 mN,据此估算实际加工载荷,实验结果与预测值一致,可指导优化加工参数。