PMA-POSS微泡钙钛矿单晶

成核抑制 生长快三倍

通过自组装微泡局部释放前体，同时实现精确成核控制和显著生长加速，制备出低缺陷密度、高X射线灵敏度的钙钛矿单晶。

Sun, Chen · 张宇 · 杨高岭 · 钟海政 · Yu, Chen

Small 2025

参数信息

陷阱密度

8.76 × 10⁸ cm⁻³

X射线响应灵敏度

2.67 × 10⁵ µC Gyair⁻¹ cm⁻²

生长速率提升倍数

3 倍

技术优势

成核更少更好控

微泡在高浓度下包裹前驱体，热聚合破裂后局部释放，使成核数显著降低。

生长速度快三倍

局部前驱体浓度激增使晶体生长速率提高近三倍。

晶体质量更高

与常规生长相比，所得MAPbI₃单晶陷阱密度更低。

应用场景

• 钙钛矿单晶器件：用低缺陷单晶做高灵敏度、低噪声的光电器件。
• X射线探测器：高X射线灵敏度单晶可用于直接探测和成像。
• 单晶生长：微泡法实现了成核控制和加速生长的普适策略。