紫外臭氧处理InSe

通过缺陷工程将二维InSe转变为稳定的非易失性忆阻材料，开关速度快至20纳秒以下，为神经形态计算提供关键功能层。

Wang, Genwang · Li, Sifan · Caokun, Wang · Yun, Ji · Pam, Mei Er · 丁烨 · 杨立军 · Kah-Wee, Ang

Advanced Functional Materials 2026

参数信息

开关电压波动

5.8 %

开关比

10²-10⁵

开关速度

<20 ns

技术优势

开关电压高度一致

开关电压波动低至5.8%，保证器件一致性和网络可靠性。

开关比可调

开关比可在10²至10⁵之间调节，满足不同应用需求。

超快开关

开关速度低于20纳秒，提升计算吞吐量。

识别精度比肩软件

人工神经网络识别准确率与软件实现相当，硬件优势明显。

应用场景

• 忆阻器：用作忆阻器的活性层，实现非易失存储与计算。
• 神经形态计算：构建神经网络硬件，实现高能效推理。
• 二维材料器件：将InSe从无开关行为转化为高性能忆阻器件。