氮掺杂SiO₂界面层

钝化更强针孔更少

氮原子原位掺入非晶硅后驱动至SiOₓ界面，形成热膨胀更匹配、结合更强的SiOₓNy中间层，抑制针孔并提升钝化。

Liu, Zunke · Zhang, Yueying · Zhang, Yuqi · Hongkai, Zhou · Wei-Wei, Liu · 廖明墩 · Xiao, Chuanxiao · 应智琴 · Yang, Xi · 杨阵海 · 曾俞衡 · 叶继春

Advanced Materials 2026

具体参数

隐含开路电压
{'zh': '760', 'en': '760'} mV
单面复合电流密度
{'zh': '0.35', 'en': '0.35'} fA/cm²
前结TOPCon电池效率提升
{'zh': '0.2', 'en': '0.2'} %

技术优势

针孔更少

SiOₓNy中间层热膨胀系数与c-Si和多晶硅更匹配，抑制应力集中、防止界面断裂，从而降低针孔密度。

钝化更强

氮引入使SiOₓNy结合强度显著提升、热稳定性更优越，从而降低界面缺陷，减少载流子复合。

额外成本低

原位掺杂与现有PECVD工艺兼容，无需增加复杂步骤，预测可显著提升效率而额外成本极低。

效率提升有了实测

前结TOPCon电池实验证实效率提升0.2%，验证了该策略在器件层面的有效性。

应用场景