抗单粒子烧毁
通过微米级深沟槽p型NiO与高k BaTiO₃场板终端协同，实现千伏级抗辐射肖特基二极管，抗单粒子烧毁能力优于现有SiC、GaN器件。
Sun N. · Zhengliang, Zhang · 周峰 · 王天琦 · 任芳芳 · 顾书林 · 陆海 · Zhang, Rong · 叶建东
IEEE Electron Device Letters 2025
SEB电压超过1.4 kV，是首个千伏级抗辐射二极管，意味着可在高母线电压下安全工作，无需降额使用。
SEB退化率仅9.6%，辐射后性能保持能力强，适合长期空间任务。
性能指标在SiC、GaN、Ga₂O₃和Si功率二极管中最佳，可作为下一代抗辐射功率器件基准。