低暗电流PbS光电二极管

室温自供电

溶液法制备的CdS/PbS异质结光电二极管,通过铝掺杂和纳米柱结构在室温下将暗电流密度抑制到20 nA cm⁻²,无需冷却即可实现高灵敏近红外探测。

王维 · Li, Ming · Wen, Xixing · 赵强

Small 2025

参数信息

暗电流密度
20 nA cm⁻²
探测率(总噪声)
7.98 × 10¹¹ Jones
响应度
130 mA W⁻¹
线性动态范围
84 dB

技术优势

暗电流降一个量级

室温下 20 nA cm⁻² 的暗电流密度低于部分商用 PbS 探测器,因此无需制冷即可使用,简化系统。

零偏压下工作

器件在 0 V 偏压下表现出 130 mA W⁻¹ 的响应度,可自供电探测,有利于低功耗便携应用。

宽动态范围成像

线性动态范围达 84 dB,说明器件在大光强范围内保持线性响应,适合高对比度成像场景。

溶液法制备低成本

采用溶液法制备 PbS 纳米晶薄膜,避免了昂贵的外延工艺和单晶衬底,有望降低制造成本。

应用场景