电场可调谷自旋电子回射

倾角可调Klein隧穿

单层1T′-MoS₂的n-p-n结在垂直电场下实现谷和自旋的选择性电子回射与Klein隧穿，为二维各向异性材料中的谷电子学调控提供了新机制。

王大理 · Anqi, Hu · Lv, Jianping · 金国钧

Physical Review B 2023

技术优势

在外加电场Ez作用下，电子回射呈现谷和自旋依赖的选择性

存在临界电场Ec，达到该电场时发生谷和自旋依赖的Klein隧穿

在特定倾斜角下，垂直入射时仅K谷自旋向上电子可发生Klein隧穿