高比强负泊松比晶格

比强度高1.5倍

用两步建模法在普通晶格上实现负泊松比，比强度比传统三维星形负泊松比结构最高提升50%。

Lv, Weitao · Li, Dong

Smart Materials and Structures 2024

参数信息

比强度提升倍数

1.5 ×

Maxwell数条件

≤0

技术优势

比强度高1.5倍

通过两步建模法在普通晶格上实现负泊松比，避免了传统内凹/旋转设计带来的低比强度，最高提升50%。

普通晶格即可实现

只要Maxwell数≤0，任何普通晶格都能通过该方法获得负泊松比，无需专门设计内凹或旋转单元。

设计自由度更高

借助晶格结构本身的高度可设计性，可灵活调节三轴压缩比，获得多样化的负泊松比构型。

应用场景

• 轻质高强结构：在同等重量下提供更高的比强度，可替代传统内凹负泊松比结构用于轻量化承载。
• 3D打印晶格：利用两步建模法直接从普通晶格生成负泊松比构型，便于3D打印制造高比强部件。