梯度壳CuInS₂量子点

70 nm窄带发射

通过化学计量与梯度壳层设计，在保持高量子产率的同时实现了同类量子点中最窄的带边发射半峰宽。

Kai, Wang · Keyang, Zhao · 曹盛 · Zilong, Li · 杨为佑 · 郑金桔 · Fu, Hui

Nano Materials Science 2024

具体参数

光致发光量子产率

{'zh': '89', 'en': '89'} %

发射半峰宽

{'zh': '70', 'en': '70'} nm

技术优势

同类最窄发射

通过精确控制成核过程化学计量比提高结晶性，抑制InCu替位和Cu空位缺陷，实现70 nm半峰宽，为已报道CIS基量子点中最窄。

高量子产率

即使经核壳结构设计，仍保持89%的高量子产率，这得益于梯度壳层降低了界面应变导致的表面缺陷非辐射复合。

应用场景

• 量子点发光显示：用窄带发射替代传统量子点，提升显示色域和色彩纯度。
• 量子点发光器件：作为发光层材料，实现高色纯度QLED。
• 高色纯度micro-LED：提供窄带光转换，助力micro-LED全彩化。
• 窄带光谱转换：实现窄带下转换发光，用于光谱整形和传感器。