GaN晶片

面向第三代半导体的氮化镓晶片，采用超声磁流变化学复合抛光（UMCP）实现高效材料去除，机械去除为主，化学与超声协同增强，为GaN衬底超精密加工提供新方案。

Liang, Huazhuo · Wenjie, Chen · Fu, Youzhi · 周文杰 · Mo, Ling · 文琦 · 刘大伟 · He, Junfeng

Micromachines 2025

参数信息

磨粒机械去除占比

25 %

磁流变抛光垫机械去除占比

14.66 %

化学作用去除占比

15.52 %

超声作用去除占比

11.73 %

技术优势

机械去除为主，工艺可控

超声磁流变化学复合抛光（UMCP）中，磨粒机械去除占比约25%~44.63%，主导材料去除，可通过调整抛光液成分和加工条件来调控。

化学与超声协同增强

化学作用去除占比约15.52%~23.41%，超声作用去除占比约11.73%~14.66%，两者协同进一步提升GaN材料去除效果。

多因素交互促进去除

多场协同作用下，交互作用去除占比约6.47%~14.36%，进一步提高了GaN晶片的抛光效率。

应用场景

• 第三代半导体衬底：为GaN衬底提供高效抛光方案，提升器件性能。
• 晶圆抛光：通过UMCP复合抛光实现GaN晶片高质量表面加工。
• 超精密加工：多场协同去除机制满足GaN超精密加工需求。