低压容量超高
通过机械球磨原位构造的自掺杂缺陷碳材料，在提高储钾位点的同时避免了传统扩表面积方法对首次库仑效率的牺牲。
Sijin, Dong · 顾鑫 · Yapeng, Li · Longfei, Du · Xinyu, Lv · Fei, Pang · Akang, Cui · Zhang, Kaiyuan · 张梦迪 · 赵青山 · Bin, Wang · Hu, Han · 吴明铂
Carbon 2025
球磨法在引入活性缺陷的同时不增加额外比表面积，避免了电解液过度分解，首次库仑效率达76.1%。
独特的自掺杂缺陷结构为K⁺提供了大量低压插层位点，0.5 V以下容量高达314.3 mAh g⁻¹。
在1 C倍率下循环1800周后仍保持300.1 mAh g⁻¹，表明缺陷结构在长期充放电中高度稳定。