VOC缺陷迄今最低
双阳离子协同替代同时优化界面能带排列与体缺陷，显著延长载流子寿命
Zhao, Yunhai · Chen, Xingye · 陈烁 · 郑壮豪 · 苏正华 · Ma, Hongli · Zhang, Xianghua · Liang G.
Advanced Materials 2024
Ag、In协同替换优化了界面能带排列并钝化了Sn相关缺陷，将载流子复合降至最低，实现了64.7%的VOC/VOC SQ比值。
器件制备全程在空气中采用溶液法，无需任何额外处理（如反溶剂、钝化层），即可获得14.33%的认证效率。
通过能带工程和缺陷调控，将VOC提升至580 mV，这在CZTSSe体系中属于最高水平之一，直接贡献于低VOC-def。
In-Se材料的优越载流子特性增强了器件载流子寿命和少子扩散长度，进一步提升电荷收集效率。